ИТ-Новости:

Предложена технология стековой упаковки, затмевающая HMC или HBM

Приступив к производству памяти типа 3D V-NAND, компания Samsung совершила маленькую революцию.

О сквозных соединениях типа TSVs — очень тонких каналах металлизации — говорили достаточно давно, но никто не рисковал первым начать массовый выпуск чипов с помощью данной технологии. В компании Samsung рискнули. Недавно представитель компании признался, что прошло более года с начала производства 3D V-NAND (с августа 2013 года), как данное производство стало рентабельным. Многие месяцы уровень брака при выпуске многослойной флэш-памяти составлял 50%. Тем не менее, Samsung смогла довести производство памяти 3D V-NAND до ума. Смогут и другие, пишут Новости ИТ

Одной из таких компаний является американский производитель Tezzaron Semiconductor и его новое (организовано три года назад) исследовательское подразделение — компания Novati Technologies. Компания Tezzaron занимается многослойными чипами с вертикальными соединениями порядка 15 лет или даже больше. Ей есть что показать. На международной конференции SEMICON Europa 2015, которая пройдёт с 6 по 8 октября в Дрездене, компания Novati покажет комбинированный 18-слойный чип с двумя логическими слоями, 64-Гбит памяти и массивом сенсоров. Это решение создано с прицелом на вещи с подключением к Интернету, для которых малые размеры — это если не всё, то очень много.

По словам разработчика, технология вертикальных соединений Novati намного прогрессивнее, чем у компанией Micron, Samsung или SK Hynix. Вертикальные каналы из вольфрама соединяют кристаллы на подложках толщиной всего 20 мкм и не используют промежуточных диэлектрических вставок. Уточним, речь идёт о сравнении не с многослойными решениями типа 3D V-NAND, а о сравнении с памятью типа HBM или HMC. Компания Novati для соединения кристаллов в стек научилась располагать вертикальные каналы с плотностью в 60 раз большей, чем это достигается компаниями Micron или SK Hynix. Фактически речь идёт о плотности каналов, как у памяти 3D V-NAND, но с использованием отдельных кристаллов, а не монолитной структуры.

Высокая плотность вертикальных каналов в стековой структуре многокристальных чипов даёт возможность настолько упростить разводку, что отпадает необходимость в массе промежуточных буферов и драйверов. Тем самым освободившуюся площадь можно использовать под “полезные” транзисторы, а скорость передачи нарастить до 8-Тбит/с. Технология Novati так и называется — Дез-Интегрированная 3D (Dis-Integrated 3D, Di3D), подразумевая избавление от “лишних” цепей.

Источник: overclockers.ru

<-назад