Мікросистема

(0382) 700-822

29001, м. Хмельницький,
вул. Героїв Майдану, 48
 

ИТ-Новости:


У Tesla Motors достаточно причин охотиться за специалистами NVIDIA 2016-04-02 11:02:59

Компании NVIDIA и Tesla Motors давно сотрудничают. Это обусловлено не только приятельскими отношениями руководителей, которые не брезгуют “ходить друг к другу в гости” на отраслевых мероприятиях, а также делать дорогие подарки в рамках злоупотребления должностным положением, но и объективными причинами. Электромобили Tesla используют процессоры Tegra в своих информационно-развлекательных системах, и есть все основания полагать, что ...

HPE начала поставлять NVDIMM модули памяти для серверов ProLiant 2016-04-02 10:14:51

Стандарт памяти NVDIMM, который предполагает ту или иную защиту данных в ОЗУ от проблем с питанием, утверждён относительно недавно — во второй половине прошлого года. Но модули NVDIMM — это не вчерашнее изобретение. Ряд компаний выпускают модули памяти с «батарейкой» достаточно давно, пишут Новости ИТ В последние годы, благодаря быстрому развитию производства флэш-микросхем, модули NVDIMM ...

Руководство института SETI расширяет область поисков внеземной жизни 20 тысячами новых звездных систем 2016-04-02 09:13:38

Руководство института SETI (Search for Extraterrestrial Intelligence), основной задачей которого является проведение поисков следов разумной внеземной жизни, приняло решение о расширении области поисков, добавив к ней еще 20 тысяч далеких звездных систем. Большинство этих системы, в отличие от систем, за которыми уже ведется непрерывное наблюдение, является то, что звездами этих систем являются красные карлики, звезды, ...

Разработан новый тип высокоскоростной магнитной памяти 2016-04-02 08:39:27

В течение нескольких десятилетий ученые пытались разработать эффективную магнитную память с произвольным доступом (magnetic random access memory, MRAM), в которой информация хранится в виде направления намагниченности частички магнитного материала. Так как намагниченность материала может быть изменена с очень большой скоростью, такой тип памяти рассматривается в качестве замены полупроводниковой статической памяти (SRAM) и динамической памяти (DRAM). ...




<< | < | 1603 | 1604 | 1605 | 1606 | 1607 | 1608 | 1609 | 1610 | 1611 | 1612 | 1613 | > | >>